High-density power driver -high voltage full bridge with integrated gate driver

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高密度功率驱动器 - 高压全桥与集成式栅极驱动器

PWD13F60是一款高密度功率驱动器，集成了栅极驱动器和四个N沟道功率MOSFET，采用双半桥配置。\n\n 集成功率MOSFET的RDS(on) 为 320 mΩ 漏源击穿电压为600 V，而集成自举二极管可方便地提供高侧的嵌入式栅极驱动器。该设备的高度集成使其能够在极小的空间内有效地驱动负载。\n\n PWD13F60器件接受在很宽范围内扩展的电源电压(VCC) 并通过电源电压上的低压UVLO检测进行保护。\n\n 输入引脚扩展范围允许与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器轻松接口。\n\n 该设备可在紧凑的VFQFPN封装中使用。 • 集成栅极驱动和高压功率MOSFET的系统级封装 \n •Low RDS(on) = 320 mΩ \n •BVDSS = 600 V \n• 适合作为 \n •全桥 \n •双独立半桥 \n•  驱动器电源电压低至6.5 V. \n•  电源电压的UV保护 \n• 3.3V至15 V兼容输入，具有迟滞和下拉功能 \n •互锁功能，防止交叉传导 \n•  内置自举二极管 \n• 输出与输入同相位 \n•  非常紧凑和简化的布局 \n•  灵活，简单，快速的设计;

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Package：28-PowerVQFN；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 全半桥驱动器 描述：POWER DRIVER

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High-density power driver -high voltage full bridge with integrated gate driver

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Package：28-PowerVQFN；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 全半桥驱动器 描述：HIGH-DENSITY POWER DRIVERS

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