High density power driver - high voltage full bridge with integrated comparators

Features • Power system-in-package integrating gate drivers and high-voltage power MOSFETs – RDS(ON) = 1.38 Ω – BVDSS = 600 V • Suitable for operating as – full bridge – dual independent half bridges • UVLO protection on low-side and high-side • 3.3 V to 15 V compatible inputs with hyster

文件：732.34 Kbytes 页数：26 Pages

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高密度功率驱动器 - 高压全桥与集成式比较器

PWD5F60是一款先进的system-in-package产品，集成了栅驱动器和双半桥四个N通道功率MOSFETs。\n\n 集成功率MOSFET具有1.38Ω的RDS(ON) 和600 V漏极 - 源极击穿电压，而集成的自举二极管可以帮助轻松提供上桥臂的栅极驱动。该器件的高集成度可以在狭小的空间内有效地驱动负载。\n\n PWD5F60可接受宽范围（10 V至20 V）的电源电压（VCC）, 并在下部和上部驱动部分都具有UVLO保护功能, 可防止电源开关在低效率或危险条件下工作。\n\n 该输入引脚扩展范围允许与微控制器， DSP单元或霍尔效应传感器轻松连接。\n\n PWD5F60内嵌两 • 集成栅极驱动和高压功率MOSFET的封装电力系统 \n •RDS(ON) = 1.38 Ω \n •BVDSS = 600 V \n• 适合作为 \n •全桥接线法 \n •双独立半桥 \n• 低侧和高侧UVLO保护 \n• 3.3V至15V兼容的滞后和下拉输入 \n• 内置自举二极管 \n• 独立的比较器 \n• 可调死区 \n• 物料削减单 \n• 非常紧凑和简化的布局 \n• 灵活、简便、快速的设计;

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Package：46-PowerVQFN；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 全半桥驱动器 描述：HIGH-DENSITY POWER DRIVER - HIGH

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High density power driver - high voltage full bridge with integrated comparators

Features • Power system-in-package integrating gate drivers and high-voltage power MOSFETs – RDS(ON) = 1.38 Ω – BVDSS = 600 V • Suitable for operating as – full bridge – dual independent half bridges • UVLO protection on low-side and high-side • 3.3 V to 15 V compatible inputs with hyster

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Package：46-PowerVQFN；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 全半桥驱动器 描述：HIGH-DENSITY POWER DRIVER - HIGH

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