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PTY80N06	文件：300 bytes Page：1 Pages	沟槽型功率场效应管	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
UTT80N06	文件：228.52 Kbytes Page：7 Pages	60V, 80A N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：228.52 Kbytes 页数：7 Pages	UTC 友顺	UTC
WSF80N06	文件：2.7957 Mbytes Page：6 Pages	N-Ch MOSFET 文件：2.7957 Mbytes 页数：6 Pages	WIINSOK 微硕半导体	WIINSOK
WSF80N06H	文件：1.35305 Mbytes Page：5 Pages	Load switch. Battery protection. 文件：1.35305 Mbytes 页数：5 Pages	WIINSOK 微硕半导体	WIINSOK

技术参数

工艺：
沟槽型
沟道类型：
单N
防静电ESD：
否
漏源耐压Vds(V)：
60.000
栅源耐压Vgs(V)：
±25
阈值电压Vth(V)TYP：
3.000
电流ID(A)：
80.000
导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=10V：
7.7
导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=4.5V：
0
导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=2.5V：
0
导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=1.8V：
0
规格书：
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