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WSF80N06H

Load switch. Battery protection.

WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd

微硕半导体微硕半导体(深圳)有限公司

80N06

FastSwitchingSpeed

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

80N06

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

80N06.

N-Channel60V(D-S)MOSFET

FEATURES •175°CJunctionTemperature •TrenchFET®PowerMOSFET •Materialcategorization:

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

80N06LG

N-Channel60V(D-S)MOSFET

FEATURES •175°CJunctionTemperature •TrenchFET®PowerMOSFET •Materialcategorization:

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

BR80N06

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

BR80N06

N-CHANNELMOSFETinaTO-220PlasticPackage

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

BRB80N06

N-CHANNELMOSFETinaTO-263PlasticPackage

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

BRD80N06

N-CHANNELMOSFETinaTO-252PlasticPackage

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FDP80N06

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.09mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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NK/南科功率
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TO-252-2
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更多WSF80N06H供应商 更新时间2025-6-10 11:16:00