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PTVA120251EA	文件：787.93 Kbytes Page：14 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 25 W, 50 V, 500 – 1400 MHz Description The PTVA120251EA LDMOS FET is designed for use in power amplifier applications in the 500 MHz to 1400 MHz frequency band. Features include high gain and a thermally-enhanced package with bolt-down flange. Manufactured with Wolfspeed's advanced LDMOS process, this device provides ex 文件：787.93 Kbytes 页数：14 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
PTVA120251EA	文件：1.30039 Mbytes Page：14 Pages	Unmatched input and output 文件：1.30039 Mbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
PTVA120251EA	文件：1.6283 Mbytes Page：14 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 25 W, 50 V, 500 ??1400 MHz 文件：1.6283 Mbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
PTVA120251EA	文件：876.78 Kbytes Page：14 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 25 W, 50 V, 500 ??1400 MHz 文件：876.78 Kbytes 页数：14 Pages	CREE 科锐	CREE
PTVA120251EA-V2-R0	文件：787.93 Kbytes Page：14 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 25 W, 50 V, 500 – 1400 MHz Description The PTVA120251EA LDMOS FET is designed for use in power amplifier applications in the 500 MHz to 1400 MHz frequency band. Features include high gain and a thermally-enhanced package with bolt-down flange. Manufactured with Wolfspeed's advanced LDMOS process, this device provides ex 文件：787.93 Kbytes 页数：14 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
PTVA120251EA-V2-R250	文件：787.93 Kbytes Page：14 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 25 W, 50 V, 500 – 1400 MHz Description The PTVA120251EA LDMOS FET is designed for use in power amplifier applications in the 500 MHz to 1400 MHz frequency band. Features include high gain and a thermally-enhanced package with bolt-down flange. Manufactured with Wolfspeed's advanced LDMOS process, this device provides ex 文件：787.93 Kbytes 页数：14 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
PTVA120251EA_16	文件：1.6283 Mbytes Page：14 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 25 W, 50 V, 500 ??1400 MHz 文件：1.6283 Mbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
PTVA120251EAV2R0	文件：1.6283 Mbytes Page：14 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 25 W, 50 V, 500 ??1400 MHz 文件：1.6283 Mbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
PTVA120251EAV2R0XTMA1	文件：1.6283 Mbytes Page：14 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 25 W, 50 V, 500 ??1400 MHz 文件：1.6283 Mbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
PTVA120251EAV2R250	文件：1.6283 Mbytes Page：14 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 25 W, 50 V, 500 ??1400 MHz 文件：1.6283 Mbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Matching ：
None
Frequency Band min max：
500.0MHz 1400.0MHz
P1dB ：
30.0W
Supply Voltage ：
50.0V
Gain ：
16.0dB
Test Signal ：
Pulsed

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PTVA120251EA供应商更新时间2026-1-17 10:06:00

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