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PTRA093302DC V1数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

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厂商型号

PTRA093302DC V1

参数属性

PTRA093302DC V1 包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:IC RF FET LDMOS 330W H-49248H-4

功能描述

IC RF FET LDMOS 330W H-49248H-4

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 16:10:00

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PTRA093302DC V1规格书详情

简介

PTRA093302DC V1属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的PTRA093302DC V1晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    PTRA093302DC V1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 描述:

    IC RF FET LDMOS 330W H-49248H-4

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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