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PTRA087008NB-V1数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
PTRA087008NB-V1 |
| 参数属性 | PTRA087008NB-V1 封装/外壳为HB2SOF-6-1；包装为带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：IC RF AMPLIFIER |
| 功能描述 | High Power RF LDMOS FET 650 W; 48 V; 755 - 805 MHz |
| 封装外壳 | HB2SOF-6-1 |
| 制造商 | MACOM Tyco Electronics |
| 中文名称 | 玛科姆技术方案控股有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-9 16:10:00 |
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PTRA087008NB-V1规格书详情
描述 Description
The PTRA087008NB is a 650-watt LDMOS FET. It is designed for use in multi-standard cellular power amplifier applications from 755 MHz to 805 MHz. Manufactured with an advanced LDMOS process; this device provides excellent thermal performance and superior reliability.
特性 Features
·Broadband internal input and output matching
·Asymmetric design: Main P1dB = 245 W Typ; Peak P1dB = 380 W Typ
·Typical pulsed CW performance; 805 MHz; 48 V; Doherty configuration: Output power at P3dB = 650 W; Efficiency = 52%; Gain = 19.5 dB
·Capable of handling 10:1 VSWR @48 V; 30 W (WCDMA) output power
·Integrated ESD protection
·RoHS compliant
应用 Application
·Multi-standard Cellular Power Amplifiers
技术参数
- 制造商编号
：PTRA087008NB-V1
- 生产厂家
：MACOM
- Min Frequency (MHz)
：500
- Max Frequency(MHz)
：1000
- P3dB Output Power(W)
：380
- Gain(dB)
：18.5
- Efficiency(%)
：52
- Operating Voltage(V)
：48
- Package Category
：Plastic
- Form
：Packaged Discrete Transistor
- Technology
：LDMOS
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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24+ |
ACC-4L |
15000 |
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询价 | ||
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25+ |
Tube |
4430 |
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询价 | ||
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2022+ |
PG-HB2SOF-6-1 |
38550 |
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询价 | ||
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23+ |
ACC-4L |
8000 |
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22+ |
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询价 | ||
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21+ |
- |
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