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SB30100PT	文件：189.28 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER VOLTAGE-20TO200VOLTSCURRENT-30AMPERES FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Lowpowerloss,highefficiency. •Hi	PACELEADERPACELEADER INDUSTRIAL 霈峰霈峰实业有限公司	PACELEADER
SBF30100CT	文件：984.48 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS Feaures Highefficienctyoperation Lowpowerloss Highforwardsurgecapability LeadfreeincompliancewithEURoHS 2011/65/EUdirective GreenmoldingcompoundasperIEC61249 Std(HalogenFree) Lowstoredchargemajoritycarrierconduction	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
SBL30100CT	文件：193.06 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
SBL30100CT	文件：1.64006 Mbytes Page：2 Pages	LOWVFSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS Feaures Ultralowvf Highefficienctyoperation Lowpowerloss Highforwardsurgecapability LeadfreeincompliancewithEURoHS 2011/65/EUdirective Lowstoredchargemajoritycarrierconduction	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
SBL30100PT	文件：189.88 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
SBLF30100CT	文件：205.6 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifiers	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
SBLF30100CT	文件：1.39625 Mbytes Page：2 Pages	LOWVFSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS Features Ultralowvf Highefficienctyoperation Lowpowerloss Highforwardsurgecapability LeadfreeincompliancewithEURoHS 2011/65/EUdirective Lowstoredchargemajoritycarrierconduction	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
SBR30100	文件：159.09 Kbytes Page：2 Pages	VOLTAGE100V30.0AmpSchottkyBarrierRectifiers	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SBR30100CT	文件：179.89 Kbytes Page：3 Pages	30ASBRSuperBarrierRectifier	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
SBR30100CT	文件：171 Kbytes Page：5 Pages	30ASBR짰SUPERBARRIERRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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技术参数

VF Level：
S
Die：
2
IF (A)：
30
VB (V)：
100
VF(V) 25℃：
0.82
IR(uA) 25℃：
200
VF(V) 125℃：
0.70
IR(mA) 125℃：
22
Package：
TO-263AB
IFSM(A)：
150
Tj (℃)：
-40~150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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