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PTFB191501F	文件：295.43 Kbytes Page：15 Pages	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 150 W, 1930 ??1990 MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
PTFB191501FV1R250XTMA1	文件：300 bytes Page：1 Pages	FET RF LDMOS 150W H37248-2	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
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PTFB191501FV1R250XTMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：2-扁平封装，叶片引线，带法兰；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF LDMOS 150W H37248-2	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
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技术参数

频率：
1.99GHz
增益：
18dB
电压 - 测试：
30V
电流 - 测试：
1.2A
功率 - 输出：
150W
电压 - 额定：
65V
封装/外壳：
2-扁平封装，叶片引线，带法兰
供应商器件封装：
H-37248-2

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