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PTFB182503FLV2	文件：300 bytes Page：1 Pages	Cellular (1800 MHz to 1995 MHz) High Power RF LDMOS FET, 240 W, 1805 – 1880 MHz ·Broadband internal input and output matching\n ·Enhanced for use in DPD error correction systems\n ·Typical two-carrier WCDMA performance, 1880 MHz, 30 V - Average output power = 50 W - Linear gain = 19 dB - Drain efficiency = 28 % - Intermodulation distortion = –35 dBc\n ·Typical CW perf;	Infineon 英飞凌	Infineon
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更多PTFB182503FLV2供应商更新时间2026-3-26 14:07:00