| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌SMD |
6992 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市锦喆鸿电子有限公司5年
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INFINEON高频 |
9986 |
20+ |
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深圳市瑞智芯科技有限公司3年
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InfineonN/A |
13 |
21+ |
订货库存 只做原装 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
留言
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1688 |
23+ |
房间现货库存:QQ:373621633 |
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深圳市正迈科技有限公司8年
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INFINEONNA |
28520 |
23+ |
原装进口ICMCUSOCMOS等知名国内外品牌只做原装全 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司11年
留言
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INFINEONNA |
9852 |
1844+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌NA |
6500 |
22+ |
只做原装正品现货!假一赔十! |
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深圳市佳杰伟业科技有限公司12年
留言
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INFINEONNA |
3886 |
2310+ |
优势代理渠道,原装现货,可全系列订货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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INFINEONNA |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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INFINEON/英飞凌NA |
10500 |
22+ |
只有原装 低价 实单必成 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
17048 |
23+ |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌NA/ |
3261 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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INFINEOH-34288 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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880000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌H3428842 |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌H-34288-42 |
57550 |
2022+ |
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深圳市科恒伟业电子有限公司11年
留言
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InfineonNA |
9852 |
1844+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌NA |
6500 |
22+ |
只做原装正品现货!假一赔十! |
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深圳市正纳电子有限公司12年
留言
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Infineon(英飞凌)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
PTFB182503采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
PTFB182503图片
PTFB182503FL中文资料Alldatasheet PDF
更多PTFB182503EL制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 240 W, 1805-1880 MHz
PTFB182503EL V1功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PTFB182503EL V1 R250功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 240W 1805-1880 MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PTFB182503EL V2功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PTFB182503ELV1R250XTMA1功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PTFB182503ELV1XWSA1功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PTFB182503FL制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 240 W, 1805-1880 MHz
PTFB182503FL V1功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PTFB182503FL V1 R250功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FETs 240W 1805-1880 MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PTFB182503FL V2功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
