High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 12 W, 28 V, 700 ??2200 MHz

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Infineon

英飞凌

High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 12 W, 28 V, 700 ??2200 MHz

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General Purpose Transistors (700 MHz to 2700 MHz)

High Power RF LDMOS FET, 12 W, 28 V, 700 - 2200 MHz • Typical two-carrier WCDMA performance at 2140 MHz, 8 dB PAR    - P OUT = 33 dBm Avg    - ACPR = –45.5 dBc • Typical two-carrier WCDMA performance at 877 MHz, 8 dB PAR    - P OUT = 33 dBm Avg    - ACPR = –44.5 dBc • Typical CW performance, 2140 MHz, 28 V    - P OUT = 41.6 dBm    - Efficiency = 53.5;

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