General Purpose Transistors (700 MHz to 2700 MHz)

High Power RF LDMOS FET, 8 W, 700 – 2200 MHz ·Typical two-carrier WCDMA performance, 8 dB PAR - POUT = 33 dBm Avg - ACPR = –40 dBc,\n ·Typical CW performance, 940 MHz, 28 V - P OUT = 40 dBm - Efficiency = 59% - Gain = 20 dB\n ·Typical CW performance, 2140 MHz, 28 V, - P OUT = 40 dBm - Efficiency = 50% - Gain = 15 dB\n ·Capable of h;

Infineon

英飞凌

包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 描述：IC AMP RF LDMOS 10-SON

INFINEON

英飞凌

OMRON/欧姆龙

上传：深圳市英创达电子半导体有限公司

EUT-6

TI/德州仪器

上传：深圳市坤融电子科技有限公司

Module(EVF)

TI/德州仪器

上传：深圳市明嘉莱科技有限公司