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PTFA091201FV4R250XTMA1分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PTFA091201FV4R250XTMA1 |
| 参数属性 | PTFA091201FV4R250XTMA1 封装/外壳为2-扁平封装，叶片引线，带法兰；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频；产品描述：IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2 |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs |
| 文件大小 |
8.75884 Mbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | Infineon Technologies AG |
| 企业简称 |
Infineon【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-22 14:49:00 |
PTFA091201FV4R250XTMA1规格书详情
PTFA091201FV4R250XTMA1属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。英飞凌科技公司制造生产的PTFA091201FV4R250XTMA1晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号：
PTFA091201FV4R250XTMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
960MHz
- 增益：
19dB
- 额定电流（安培）：
10µA
- 功率 - 输出：
110W
- 封装/外壳：
2-扁平封装，叶片引线，带法兰
- 供应商器件封装：
H-37248-2
- 描述：
IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
22+ |
H372482 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
INFINEON-英飞凌 |
24+25+/26+27+ |
TO-59.高频管 |
18800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2020+ |
NA |
12000 |
原装正品现货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
H-37248-2 |
21000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
INF/ERICSSON |
2022+ |
原厂原封 |
57550 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
23+ |
H372482 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
NA |
5000 |
只做原装公司现货 |
询价 | ||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
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询价 |
