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PTFA082201F分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
厂商型号 |
PTFA082201F |
参数属性 | PTFA082201F 封装/外壳为2-扁平封装,叶片引线,带法兰;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 |
功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 220 W, 869 ??894 MHz |
文件大小 |
352.6 Kbytes |
页面数量 |
10 页 |
生产厂商 | Infineon Technologies AG |
企业简称 |
Infineon【英飞凌】 |
中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-21 18:45:00 |
PTFA082201F规格书详情
PTFA082201F属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。英飞凌科技公司制造生产的PTFA082201F晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号:
PTFA082201FV4R250XTMA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
LDMOS
- 频率:
894MHz
- 增益:
18dB
- 额定电流(安培):
10µA
- 功率 - 输出:
220W
- 封装/外壳:
2-扁平封装,叶片引线,带法兰
- 供应商器件封装:
H-37260-2
- 描述:
IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
12+ |
高频 |
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Infineon Technologies |
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H372602 |
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