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PTFA080551F分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PTFA080551F |
| 参数属性 | PTFA080551F 封装/外壳为2-扁平封装，叶片引线，带法兰；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2 |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 55 W, 869 ??960 MHz |
| 封装外壳 | 2-扁平封装，叶片引线，带法兰 |
| 文件大小 |
233.55 Kbytes |
| 页面数量 |
11 页 |
| 生产厂商 | INFINEON |
| 中文名称 | 英飞凌 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-3 14:36:00 |
| 人工找货 | PTFA080551F价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PTFA080551F规格书详情
PTFA080551F属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由英飞凌科技股份公司制造生产的PTFA080551F晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号：
PTFA080551F V1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
960MHz
- 增益：
18.5dB
- 额定电流（安培）：
10µA
- 功率 - 输出：
55W
- 封装/外壳：
2-扁平封装，叶片引线，带法兰
- 供应商器件封装：
H-37265-2
- 描述：
IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
N/A |
9855 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
询价 | ||
INFIEON |
15+ |
NI-780S |
500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
H372652 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
H-37265-2 |
1200 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
INFINEO |
24+ |
NA |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
INFINEON |
20+ |
高频管 |
29516 |
高频管全新原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
7298 |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
询价 | ||
Infineon |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 |
