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PTFA080551E分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PTFA080551E |
| 参数属性 | PTFA080551E 封装/外壳为H-36265-2；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs |
| 封装外壳 | H-36265-2 |
| 文件大小 |
4.43668 Mbytes |
| 页面数量 |
11 页 |
| 生产厂商 | INFINEON |
| 中文名称 | 英飞凌 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-3 22:59:00 |
| 人工找货 | PTFA080551E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PTFA080551E规格书详情
PTFA080551E属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由英飞凌科技股份公司制造生产的PTFA080551E晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号：
PTFA080551E V1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
960MHz
- 增益：
18.5dB
- 额定电流（安培）：
10µA
- 功率 - 输出：
55W
- 封装/外壳：
H-36265-2
- 供应商器件封装：
H-36265-2
- 描述：
IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
7418 |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
NI-787 |
6000 |
全新原装正品现货 假一赔佰 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
NI-787 |
32360 |
INFINEON/英飞凌全新特价PTFA080551E即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
NA |
8021 |
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价，原装元器件供应，支持开发样品 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
26+ |
NA |
60000 |
只有原装 可配单 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
- |
20000 |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
300 |
现货供应 |
询价 | |||
Infineon(英飞凌) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 |
