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PTFA091201F

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 120 W, 920 ??960 MHz

文件:272.34 Kbytes 页数:10 Pages

INFINEON

英飞凌

PTFA091201F

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

文件:8.75884 Mbytes 页数:10 Pages

INFINEON

英飞凌

PTFA091201FV4R0

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

文件:8.75884 Mbytes 页数:10 Pages

INFINEON

英飞凌

PTFA091201FV4R0XTMA1

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

文件:8.75884 Mbytes 页数:10 Pages

INFINEON

英飞凌

PTFA091201FV4R250

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

文件:8.75884 Mbytes 页数:10 Pages

INFINEON

英飞凌

PTFA091201FV4R250XTMA1

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

文件:8.75884 Mbytes 页数:10 Pages

INFINEON

英飞凌

PTFA091201FV4R250XTMA1

IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2

Infineon

英飞凌

PTFA091201FV4XWSA1

IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2

Infineon

英飞凌

PTFA091201FV4R250XTMA1

Package:2-扁平封装,叶片引线,带法兰;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2

INFINEON

英飞凌

PTFA091201FV4XWSA1

Package:2-扁平封装,叶片引线,带法兰;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2

INFINEON

英飞凌

技术参数

  • 频率:

    960MHz

  • 增益:

    19dB

  • 电压 - 测试:

    28V

  • 额定电流:

    10µA

  • 电流 - 测试:

    750mA

  • 功率 - 输出:

    110W

  • 电压 - 额定:

    65V

  • 封装/外壳:

    2-扁平封装,叶片引线,带法兰

  • 供应商器件封装:

    H-37248-2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON
24+
SMD
5500
长期供应原装现货实单可谈
询价
INFINEON/英飞凌
24+
469
现货供应
询价
INFINEON/英飞凌
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
询价
INFINEON
23+
N/A
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
INFINEON
1006+
N/A
23
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
INFINEON
NA
5500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
询价
INFINEON
23+
NA
7000
询价
INFINEON
24+
N/A
8500
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售
询价
Infineon
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
询价
Infineon Technologies
21+
H-37248-2
21000
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)!
询价
更多PTFA091201F供应商 更新时间2026-4-17 10:23:00