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PTB20009	文件：39.3 Kbytes Page：2 Pages	2.5 Watts, 935-960 MHz Cellular Radio RF Power Transistor Description The20009isaclassAB,NPN,commonemitterRFpowertransistorintendedfor24Vdcoperationacrossthe935to960MHzfrequencyband.Ratedat2.5Wattsminimumoutputpower,itmaybeusedforbothCWandPEPapplications.Ionimplantation,nitridesurfacepassivationandgoldmet	Ericsson Ericsson Microelectronics	Ericsson
20009	文件：129.46 Kbytes Page：1 Pages	WihaQualityTools	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
AGN20009	文件：117.05 Kbytes Page：5 Pages	HighSensitivity,with100mWnominaloperatingpower,inacompactandspacesavingcase FEATURES 1.Compactslimbodysavesspace Thankstothesmallsurfaceareaof5.7mm×10.6mm.224inch×.417inchandlowheightof9.0mm.354inch,thepackagingdensitycanbeincreasedtoallowformuchsmallerdesigns. 2.Highsensitivitysinglesidestable type(Nominaloperatin	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
AGN20009	文件：103.05 Kbytes Page：4 Pages	ULTRA-SMALLPACKAGESLIMPOLARIZEDRELAY FEATURES •Compactslimbodysavesspace Thankstothesmallsurfaceareaof5.7mm×10.6mm.224inch×.417inchandlowheightof9.0mm.354inch,thepackagingdensitycanbeincreasedtoallowformuchsmallerdesigns. •Outstandingsurgeresistance. Surgewithstandbetweenopencontac	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AGN20009	文件：105.47 Kbytes Page：4 Pages	ULTRA-SMALLPACKAGESLIMPOLARIZEDRELAY FEATURES •Compactslimbodysavesspace Thankstothesmallsurfaceareaof5.7mm×10.6mm.224inch×.417inchandlowheightof9.0mm.354inch,thepackagingdensitycanbeincreasedtoallowformuchsmallerdesigns. •Outstandingsurgeresistance. Surgewithstandbetweenopencontac	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AGN20009Z	文件：105.47 Kbytes Page：4 Pages	ULTRA-SMALLPACKAGESLIMPOLARIZEDRELAY FEATURES •Compactslimbodysavesspace Thankstothesmallsurfaceareaof5.7mm×10.6mm.224inch×.417inchandlowheightof9.0mm.354inch,thepackagingdensitycanbeincreasedtoallowformuchsmallerdesigns. •Outstandingsurgeresistance. Surgewithstandbetweenopencontac	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AGN20009Z	文件：103.05 Kbytes Page：4 Pages	ULTRA-SMALLPACKAGESLIMPOLARIZEDRELAY FEATURES •Compactslimbodysavesspace Thankstothesmallsurfaceareaof5.7mm×10.6mm.224inch×.417inchandlowheightof9.0mm.354inch,thepackagingdensitycanbeincreasedtoallowformuchsmallerdesigns. •Outstandingsurgeresistance. Surgewithstandbetweenopencontac	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AGQ20009	文件：115.49 Kbytes Page：4 Pages	ULTRA-SMALLPACKAGEFLATPOLARIZEDRELAY	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AGQ20009	文件：125.65 Kbytes Page：5 Pages	Highcapacity2Amp,FlatandCompactpackageTelephoneswitchboard FEATURES 1.Highcapacity:2A 2.CompactflatbodysavesspaceWithasmallfootprintof 10.6mm(L)×7.2mm(W).417inch(L)×.283inch(W)forspacesavings, italsohasaveryshortheightof5.2mm.205inch.(StandardPCboardtype.) 3.Highsensitivitysinglesidestabletyp	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
ASX20009	文件：95.81 Kbytes Page：5 Pages	HIGHSENSITIVITYRELAYWITHGUARANTEEDLOWLEVELSWITCHINGCAPACITY	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
MV20009	文件：154.63 Kbytes Page：2 Pages	GaAsVaractorDiodesAbruptJunction Description Microsemi’sGaAsabruptjunctionvaractorsarefabricatedfromepitaxiallayersgrownatMicrosemiusingChemicalVaporDeposition.ThelayersareprocessedusingproprietarytechniquesresultinginahighQfactorandveryrepeatabletuningcurves.Thediodesareavailableinavarie	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
SWS20009-A	文件：1.02922 Mbytes Page：8 Pages	SweptWavelengthSystem	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯美国JDSU	JDSU
SWS20009-B	文件：1.02922 Mbytes Page：8 Pages	SweptWavelengthSystem	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯美国JDSU	JDSU
T-20009	文件：33.96 Kbytes Page：1 Pages	SCRTriggerandControlTransformers	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND

详细参数

型号：
PTB20009
功能描述：
射频放大器 RF Bipolar Trans
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
类型：
Low Noise Amplifier
工作频率：
2.3 GHz to 2.8 GHz
P1dB：
18.5 dBm
输出截获点：
37.5 dBm
功率增益类型：
32 dB
噪声系数：
0.85 dB
工作电源电压：
5 V
电源电流：
125 mA
测试频率：
2.6 GHz
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
封装：
Reel

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