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PTB20191	文件：424.66 Kbytes Page：3 Pages	12 Watts, 1.78-1.92 GHz RF Power Transistor Description The20191isaclassAB,NPN,commonemitterRFpowertransistorintendedfor26Vdcoperationfrom1.78to1.92GHz.Itisratedat12watts(CW)minimumoutputpower,or15watts(PEP)outputpower.Ionimplantation,nitridesurfacepassivationandgoldmetallizationareusedtoens	Ericsson Ericsson Microelectronics	Ericsson

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PTB20191

文件：424.66 Kbytes

Page：3 Pages

12 Watts, 1.78-1.92 GHz RF Power Transistor

Description The20191isaclassAB,NPN,commonemitterRFpowertransistorintendedfor26Vdcoperationfrom1.78to1.92GHz.Itisratedat12watts(CW)minimumoutputpower,or15watts(PEP)outputpower.Ionimplantation,nitridesurfacepassivationandgoldmetallizationareusedtoens

Ericsson

Ericsson Microelectronics

Ericsson

详细参数

型号：
PTB20191
功能描述：
射频放大器 RF Bipolar Trans
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
类型：
Low Noise Amplifier
工作频率：
2.3 GHz to 2.8 GHz
P1dB：
18.5 dBm
输出截获点：
37.5 dBm
功率增益类型：
32 dB
噪声系数：
0.85 dB
工作电源电压：
5 V
电源电流：
125 mA
测试频率：
2.6 GHz
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
封装：
Reel

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更多PTB20191供应商更新时间2024-5-21 16:30:00

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