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PTB20004	文件：47.26 Kbytes Page：3 Pages	50 Watts, 860-900 MHz Cellular Radio RF Power Transistor Description The 20004 is a class AB, NPN, common emitter RF power transistor intended for 25 Vdc operation across the 860 to 900 MHz frequency band. Rated at 50 watts minimum output power, it may be used for both CW and PEP applications. Ion implantation, nitride surface passivation and gold 文件：47.26 Kbytes 页数：3 Pages	ERICSSON 爱立信	ERICSSON
PTB20004	文件：300 bytes Page：1 Pages	50 Watts, 860-900 MHz Cellular Radio RF Power Transistor	Ericsson 爱立信	Ericsson
T-20004	文件：33.96 Kbytes Page：1 Pages	SCR Trigger and Control Transformers 文件：33.96 Kbytes 页数：1 Pages	RHOMBUS-IND	RHOMBUS-IND
LBT20004	文件：146.52 Kbytes Page：3 Pages	200MHz SAW Filter 9MHz Bandwidth 文件：146.52 Kbytes 页数：3 Pages	SIPAT 胜普电子	SIPAT
LBT20004	文件：152 Kbytes Page：3 Pages	200MHz SAW Filter 9MHz Bandwidth 文件：152 Kbytes 页数：3 Pages	SIPAT 胜普电子	SIPAT
MV20004	文件：154.63 Kbytes Page：2 Pages	GaAs Varactor Diodes Abrupt Junction Description Microsemi’s GaAs abrupt junction varactors are fabricated from epitaxial layers grown at Microsemi using Chemical Vapor Deposition. The layers are processed using proprietary techniques resulting in a high Q factor and very repeatable tuning curves. The diodes are available in a varie 文件：154.63 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

详细参数

型号：
PTB20004
功能描述：
射频放大器 RF Bipolar Trans
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
类型：
Low Noise Amplifier
工作频率：
2.3 GHz to 2.8 GHz
P1dB：
18.5 dBm
输出截获点：
37.5 dBm
功率增益类型：
32 dB
噪声系数：
0.85 dB
工作电源电压：
5 V
电源电流：
125 mA
测试频率：
2.6 GHz
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
封装：
Reel

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