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PTA20N40B	文件：300 bytes Page：1 Pages	400V N-Channel MOSFET;	ETC	ETC
SDM20N40A	文件：80.14 Kbytes Page：3 Pages	DUALSURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
SDM20N40A	文件：82.38 Kbytes Page：3 Pages	DUALSURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE Features •LowForwardVoltageDrop •CommonAnodeConfiguration •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note3) •GreenDevice(Note4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
SGR20N40L	文件：149.23 Kbytes Page：5 Pages	Highinputimpedance GeneralDescription InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)withatrenchgatestructureprovidesuperiorconductionandswitchingperformanceincomparisonwithtransistorshavingaplanargatestructure.Theyalsohavewidenoiseimmunity.Thesedevicesareverysuitableforstrobeapplica	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGR20N40L	文件：149.23 Kbytes Page：5 Pages	GeneralDescription GeneralDescription InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)withatrenchgatestructureprovidesuperiorconductionandswitchingperformanceincomparisonwithtransistorshavingaplanargatestructure.Theyalsohavewidenoiseimmunity.Thesedevicesareverysuitableforstrobeapplica	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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SGU20N40L	文件：149.23 Kbytes Page：5 Pages	Highinputimpedance GeneralDescription InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)withatrenchgatestructureprovidesuperiorconductionandswitchingperformanceincomparisonwithtransistorshavingaplanargatestructure.Theyalsohavewidenoiseimmunity.Thesedevicesareverysuitableforstrobeapplica	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
STGB20N40LZ	文件：1.14213 Mbytes Page：20 Pages	Lowsaturationvoltage	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGD20N40LZ	文件：1.14213 Mbytes Page：20 Pages	Lowsaturationvoltage	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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