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PT4606	文件：300 bytes Page：1 Pages	低压MOS场效应管	Puolop 迪浦	Puolop
PT4606	文件：300 bytes Page：1 Pages	沟槽型功率场效应管	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
PT4606M	文件：300 bytes Page：1 Pages	沟槽型功率场效应管	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
RN4606	文件：159.77 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 文件：159.77 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RN4606	文件：250.46 Kbytes Page：5 Pages	Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 文件：250.46 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
S4606ZA	文件：1.23301 Mbytes Page：14 Pages	N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.23301 Mbytes 页数：14 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

工艺：
沟槽型
沟道类型：
N+P
防静电ESD：
否
漏源耐压Vds(V)：
-30.000
栅源耐压Vgs(V)：
±20
阈值电压Vth(V)TYP：
-1.600
电流ID(A)：
-6.500
导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=10V：
46
导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=4.5V：
72
导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=2.5V：
0
导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=1.8V：
0
规格书：
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