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ENA1407A	文件：229.04 Kbytes Page：10 Pages	PCandServerFanMotorDriver	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
EPR1407G	文件：23.41 Kbytes Page：1 Pages	T1/E1/CEPT/ISDN-PRIInterfaceTransformers	PCA PCA Electronics, Inc.	PCA
EPR1407G-RC	文件：23.41 Kbytes Page：1 Pages	T1/E1/CEPT/ISDN-PRIInterfaceTransformers	PCA PCA Electronics, Inc.	PCA
IIRF1407	文件：338.76 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1407	文件：338.76 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1407	文件：127.66 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=75V,Rds(on)=0.0078ohm,Id=130A?? Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemp	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1407L	文件：159.79 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=75V,Rds(on)=0.0078??Id=100A?? Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1407L	文件：331.27 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1407LPbF	文件：578.95 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRF1407LPBF	文件：258.07 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET(VDSS=75V,RDS(on)=0.0078廓,ID=100A) Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1407PBF	文件：167.92 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description ThisStripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetiti	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1407PBF	文件：271.93 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1407S	文件：189.06 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1407S	文件：159.79 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=75V,Rds(on)=0.0078??Id=100A?? Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1407SPBF	文件：258.07 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET(VDSS=75V,RDS(on)=0.0078廓,ID=100A) Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1407SPBF	文件：578.95 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRF1407SPBF	文件：259.029 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1407STRLPbF	文件：578.95 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
KI1407DL	文件：52.24 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel1.8-V(G-S)MOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KS1407N	文件：97.05 Kbytes Page：1 Pages	7mmAdjustableshieldedIFTCoil(II)	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER

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产品属性

产品编号：
PT-1407
制造商：
Soberton Inc.
类别：
音频设备，产品 > 警报器，蜂鸣器，警笛
系列：
PT
包装：
散装
驱动电路：
传感器，外部驱动
输入类型：
峰-峰信号
电压范围：
1 ~ 20V
频率：
4kHz
技术：
压电
工作模式：
单音调
声压级 (SPL)：
80dB @ 5V，10cm
电流 - 供电：
1mA
端口位置：
顶部
工作温度：
-20°C ~ 70°C
等级：
可水洗
安装类型：
通孔
端接：
PC 引脚
大小 / 尺寸：
0.543" 直径（13.80mm）
高度 - 安装（最大值）：
0.276"（7.00mm）
描述：
BUZZER PIEZO 5V 13.8MM TH

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