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PSMN3R0-30MLC	文件：1.12643 Mbytes Page：14 Pages	N-channel 30 V 3.15 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPower Technology 1.1 General description Logic level enhancement mode N-channel MOSFET in LFPAK33 package. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment 1.2 Features and benefits  Low parasitic inductance and resistance  Optimised for 4 文件：1.12643 Mbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN3R0-30YL	文件：828.82 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 30 V 3 mΩ logic level MOSFET in LFPAK 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in industrial and communications applications. 1.2 Features and benefits High efficiency due to low swi 文件：828.82 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN3R0-60BS	文件：810.97 Kbytes Page：15 Pages	丝印：PSMN3R0-60BS；Package：SOT404；N-channel 60 V 3.2 mΩ standard level MOSFET in D2PAK 1.1 General description Standard level N-channel MOSFET in a D2PAK package qualified to 175 °C. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. 1.2 Features and benefits  High efficiency due to low switching and conduction 文件：810.97 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN3R0-60ES	文件：735.3 Kbytes Page：13 Pages	丝印：PSMN3R0-60ES；Package：SOT226；N-channel 60 V 3.0 mΩ standard level MOSFET in I2PAK. 1. General description Standard level N-channel MOSFET in a I2PAK package qualified to 175 °C. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. 2. Features and benefits • High efficiency due to low switching and conduction lo 文件：735.3 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN3R0-60PS	文件：820.18 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 60 V 3.0 mΩ standard level MOSFET 1.1 General description Standard level N-channel MOSFET in a TO220 package qualified to 175 °C. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. 1.2 Features and benefits High efficiency due to low switching and conduction 文件：820.18 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN3R0-30MLC	文件：375.69 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 30 V 3.15 m廓 logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPower Technology 文件：375.69 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
PSMN3R0-30MLC_15	文件：375.69 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 30 V 3.15 m廓 logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPower Technology 文件：375.69 Kbytes 页数：14 Pages	PHI PHI	PHI
PSMN3R0-30YL	文件：200.74 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 文件：200.74 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
PSMN3R0-30YL	文件：244.96 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 文件：244.96 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
PSMN3R0-30YL_09	文件：244.96 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 文件：244.96 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP

技术参数

Package name：
TO-220AB
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
60
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
3
T_j [max] (°C)：
175
I_D [max] (A)：
100
Q_GD [typ] (nC)：
28
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
130
P_tot [max] (W)：
306
Q_r [typ] (nC)：
97
V_GSth [typ] (V)：
3
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
8079
C_oss [typ] (pF)：
971
Date：
2010-10-28

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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