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PSMN2R6-30YLC	文件：1.78504 Mbytes Page：8 Pages	NextPower 25 V & 30 V MOSFETs in LFPAK(Power-SO8) Key applications } Synchronous buck regulators } DC-DC conversion } Voltage regulator modules (VRM) } Power OR-ing 文件：1.78504 Mbytes 页数：8 Pages	恩XP	恩XP
PSMN2R6-30YLC	文件：931.63 Kbytes Page：15 Pages	丝印：2C630L；Package：SOT669；N-channel 30 V 2.8mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology 1.1 General description Logic level enhancement mode N-channel MOSFET in LFPAK package. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. 1.2 Features and benefits High reliability Power SO8 package, qualified to 175°C Low 文件：931.63 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN2R6-30YLC	文件：351.34 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 30 V 2.8m廓 logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology 文件：351.34 Kbytes 页数：15 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PSMN2R6-30YLC	文件：1.8032 Mbytes Page：8 Pages	NextPower 25 V & 30 V MOSFETs in LFPAK(Power-SO8) 文件：1.8032 Mbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PSMN2R6-30YLC	文件：1.8032 Mbytes Page：8 Pages	NextPower MOSFETs 文件：1.8032 Mbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PSMN2R6-30YLC_15	文件：351.34 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 30 V 2.8m logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology 文件：351.34 Kbytes 页数：15 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PSMN2R6-30YLC	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 30 V 2.8 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology Logic level enhancement mode N-channel MOSFET in LFPAK package. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. • High reliability Power SO8 package, qualified to 175°C\n• Low parasitic inductance and resistance\n• Optimised for 4.5V Gate drive utilising NextPower Superjunction technology\n• Ultra low QG, QGD, & QOSS for high system efficiencies at low and high loads;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
LFPAK56; Power-SO8
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
30
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
2.8
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
3.65
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
100
QGD [typ] (nC)：
5.5
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
18
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
39
Ptot [max] (W)：
106
Qr [typ] (nC)：
30.999998
VGSth [typ] (V)：
1.54
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
2435
Coss [typ] (pF)：
549
Release date：
2011-04-06

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市益百分电子有限公司	PSMN2R6-30YLC	恩XP	18+	NA	250		询价
深圳市芯国创科技有限公司	PSMN2R6-30YLC	恩XP	18+	NA	250		询价
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更多PSMN2R6-30YLC供应商更新时间2025-12-11 9:31:00

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