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PSMN2R0-30YL规格书详情
描述 Description
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in industrial and communications applications.
特性 Features
• High efficiency due to low switching and conduction losses
• Suitable for logic level gate drive sources
应用 Application
• Class-D amplifiers
• DC-to-DC converters
• Motor control
• Server power supplies
技术参数
- 制造商编号
：PSMN2R0-30YL
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：LFPAK56; Power-SO8
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Number of transistors
：1
- V_DS [max] (V)
：30
- R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)
：2
- R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)
：2.63
- T_j [max] (°C)
：175
- I_D [max] (A)
：100
- Q_GD [typ] (nC)
：7.5
- Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 4.5 V (nC)
：30
- Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)
：64
- P_tot [max] (W)
：97
- Q_r [typ] (nC)
：49
- V_GSth [typ] (V)
：1.7
- Automotive qualified
：N
- C_iss [typ] (pF)
：3980
- C_oss [typ] (pF)
：857
- Date
：2011-03-10
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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