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PSMN018-80YS	文件：830.57 Kbytes Page：15 Pages	N-channel LFPAK 80 V 18 mΩ standard level MOSFET 1.1 General description Standard level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 175 °C. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. 1.2 Features and benefits Advanced TrenchMOS provides low RDSon and low gate cha 文件：830.57 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN018-80YS	文件：234.4 Kbytes Page：15 Pages	N-channel LFPAK 80 V 18 m廓 standard level MOSFET 文件：234.4 Kbytes 页数：15 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PSMN018-80YS	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel LFPAK 80 V 18 mΩ standard level MOSFET Standard level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 175 °C. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. • Advanced TrenchMOS provides low RDSon and low gate charge\n• Improved mechanical and thermal characteristics\n• LFPAK provides maximum power density in a Power SO8 package;	Nexperia 安世	Nexperia
PSMN034-100PS	文件：0 bytes Page：0 Pages	NXP TO-220	恩XP 上传：深圳市芯峰微电子科技有限公司	恩XP
PSMN040-100MSE	文件：0 bytes Page：0 Pages	NEXPERIA LFPAK33-8	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司上传：深圳市源泽芯电子有限公司	NEXPERIA

技术参数

Package name：
LFPAK56; Power-SO8
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
80
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
18
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
45
QGD [typ] (nC)：
6
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
23
Ptot [max] (W)：
89
Qr [typ] (nC)：
80
VGSth [typ] (V)：
3
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
1640
Coss [typ] (pF)：
170
Release date：
2011-01-27

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