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PSMN018-100PSF	文件：256.339 Kbytes Page：13 Pages	丝印：PSMN018-100PSF；Package：I2PAK；NextPower 100 V, 18 m廓 N-channel MOSFET in I2PAKpackage 文件：256.339 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN018-100PSF	文件：265.41 Kbytes Page：13 Pages	丝印：PSMN018-100PSF；Package：TO-220AB；NextPower 100 V, 18 m廓 N-channel MOSFET in TO220package 文件：265.41 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN018-100PSFQ	文件：265.41 Kbytes Page：13 Pages	NextPower 100 V, 18 m廓 N-channel MOSFET in TO220package 文件：265.41 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN018-100PSF	文件：300 bytes Page：1 Pages	PSMN018-100PSF - NextPower 100 V, 18 mΩ N-channel MOSFET in TO220 package NextPower 100 V, 18 mΩ N-channel MOSFET in TO220 package - NextPower 100 V standard level gate drive MOSFET. Qualified to 175 °C and recommended for industrial & consumer applications. ·Optimised for fast switching, low spiking, high efficiency\n·Low QG x RDSon FOM for high efficiency switchingapplications\n·Low body diode losses (Qrr) and fast recovery (trr)\n·Strong avalanche energy rating (EAS)\n·Avalanche rated & 100% tested\n·Ha-free & RoHS compliant TO220 package;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
TO-220AB
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
100
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
18
T_j [max] (°C)：
175
I_D [max] (A)：
53
Q_GD [typ] (nC)：
4.2
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
21.4
P_tot [max] (W)：
111
Q_r [typ] (nC)：
46
V_GSth [typ] (V)：
3.2
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
1482
C_oss [typ] (pF)：
280
Date：
2017-03-23

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