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PSMN016-100BS	文件：349.67 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 57A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 16mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：349.67 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PSMN016-100PS	文件：372.25 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 57A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 16mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：372.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PSMN016-100PS	文件：803.51 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 100V 16 mΩ standard level MOSFET in TO-220 1.1 General description Standard level N-channel MOSFET in a TO220 packages qualified to 175C. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. 1.2 Features and benefits  High efficiency due to low switching and conduction 文件：803.51 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN016-100XS	文件：349.87 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 100V 16 mΩ standard level MOSFET in TO220F (SOT186A) 1.1 General description Standard level N-channel MOSFET in TO220F (SOT186A) package qualified to 175C. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. 1.2 Features and benefits  High efficiency due to low switching and con 文件：349.87 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN016-100YS	文件：901.36 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 100 V 16.3 mΩ standard level MOSFET in LFPAK 1.1 General description Standard level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 175 °C. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. 1.2 Features and benefits  Advanced TrenchMOS provides low RDSon and low gate ch 文件：901.36 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN016-100BS	文件：805.3 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 100V 16 m廓 standard level MOSFET in D2PAK 文件：805.3 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN016-100BS_15	文件：208.34 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 100V 16 m廓 standard level MOSFET in D2PAK 文件：208.34 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PSMN016-100PS	文件：245.57 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 100V 16 m廓 standard level MOSFET in TO220 文件：245.57 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
PSMN016-100XS	文件：210.24 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 100V 16 m廓 standard level MOSFET in TO220F (SOT186A) 文件：210.24 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PSMN016-100YS	文件：248.23 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 100 V 16 m廓 standard level MOSFET in LFPAK 文件：248.23 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP

技术参数

Package name：
D2PAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
100
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
16
Tj [max] (°C)：
175
QGD [typ] (nC)：
14.999999
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
40
Ptot [max] (W)：
148
Qr [typ] (nC)：
126
VGSth [typ] (V)：
3
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
2404
Coss [typ] (pF)：
189
Release date：
2011-10-25

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市明嘉莱科技有限公司	PSMN016-100BS	NEXPERIA B.V.	25+	SMD	918000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
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