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PSMN016-100PS中文资料无锡固电数据手册PDF规格书
PSMN016-100PS规格书详情
FEATURES
·Drain Current -ID= 57A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 16mΩ(Max)@VGS= 10V
DESCRIPTION
·DC-to-DC Converter
·General Industrial Applications
·Power Motor Control
产品属性
- 型号：
PSMN016-100PS
- 功能描述：
MOSFET N-CH 100V STD LEVEL MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
1413+ |
NA |
2000 |
询价 | |||
恩XP |
24+ |
NA/ |
111130 |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA/ |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
TO-220 |
80000 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
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询价 | ||
恩XP |
13+ |
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25 |
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询价 | ||
恩XP |
23+ |
NA |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
TO-220 |
9000 |
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NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT78 |
600000 |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
N/A |
6000 |
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询价 |
