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PSMN015-110P中文资料安世数据手册PDF规格书
PSMN015-110P规格书详情
1.1 General description
SiliconMAX standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in
a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for
use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
1.2 Features and benefits
Low conduction losses due to low
on-state resistance
Simple gate drive required due to low
gate charge
1.3 Applications
DC-to-DC convertors
Switched-mode power supplies
产品属性
- 型号：
PSMN015-110P
- 功能描述：
MOSFET RAIL PWR-MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
TO220 |
53650 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
恩XP |
12++ |
NA |
50 |
询价 | |||
恩XP |
24+ |
TO-220 |
21574 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
恩XP |
07+ |
TO-220 |
300 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
恩XP |
2016+ |
TO-220 |
15623 |
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询价 | ||
Nexperia |
25+ |
N/A |
20000 |
询价 | |||
NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT78 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
NEXPERIA |
2450+ |
TO220 |
6540 |
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询价 | ||
PH |
24+ |
SOT78TO-220AB |
8866 |
询价 | |||
恩XP |
24+ |
TO220 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 |
