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PSMN013-60HS	文件：281.21 Kbytes Page：12 Pages	丝印：13RS60H；Package：LFPAK56D；N-channel 60 V, 10 mOhm, standard level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technology General description Dual standard level N-channel MOSFET in an LFPAK56D (Dual Power-SO8) package using TrenchMOS technology. Features and benefits • Dual MOSFET • Repetitive avalanche rated • High reliability LFPAK56D package • Copper-clip, solder die attach • Qualified to 175 °C Appl 文件：281.21 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN013-80YS	文件：733.26 Kbytes Page：13 Pages	N-channel LFPAK 80 V 12.9 mΩ standard level MOSFET 1.1 General description Standard level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 175 °C. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. 1.2 Features and benefits Advanced TrenchMOS provides low RDSon and low gate cha 文件：733.26 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN013-100BS	文件：229.16 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 100V 13.9m廓 standard level MOSFET in D2PAK 文件：229.16 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
PSMN013-100BS	文件：947.18 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：947.18 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
PSMN013-100BS_15	文件：271.3 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 100V 13.9m廓 standard level MOSFET in D2PAK 文件：271.3 Kbytes 页数：13 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PSMN013-100ES	文件：222.77 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 100 V 13.9 m廓 standard level MOSFET in I2PAK 文件：222.77 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
PSMN013-100PS	文件：177.7 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 100V 13.9m廓 standard level MOSFET in TO220. 文件：177.7 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
PSMN013-100PS	文件：946.18 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：946.18 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
PSMN013-100PS_15	文件：235.08 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 100V 13.9m廓 standard level MOSFET in TO220 文件：235.08 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PSMN013-100XS	文件：243.78 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 100V 13 m廓 standard level MOSFET in TO220F (SOT186A) 文件：243.78 Kbytes 页数：15 Pages	PHI 飞利浦	PHI

技术参数

Package name：
D2PAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
100
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
13.9
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
68
QGD [typ] (nC)：
17
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
59
Ptot [max] (W)：
170
Qr [typ] (nC)：
109
VGSth [typ] (V)：
3
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
3195
Coss [typ] (pF)：
221
Release date：
2011-01-06

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