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PSMN013-30MLC	文件：299.33 Kbytes Page：14 Pages	Marking：M13C30；Package：LFPAK33；N-channel 30 V 13.6 m廓 logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPower Technology	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN013-30MLC_15	文件：370.75 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 30 V 13.6 m廓 logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPower Technology	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PSMN013-30LL	文件：483.75 Kbytes Page：16 Pages	N-channelDFN3333-830V13mΩlogiclevelMOSFET 1.1Generaldescription LogiclevelN-channelMOSFETinDFN3333-8packagequalifiedto150°C.Thisproduct isdesignedandqualifiedforuseinawiderangeofindustrial,communicationsandpower supplyequipment. 1.2Featuresandbenefits Highefficiencyduetolowswitching andconduct	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN013-30YLC	文件：908.63 Kbytes Page：15 Pages	N-channel30V13.6m廓logiclevelMOSFETinLFPAKusingNextPowertechnology	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PXP013-30QL	文件：330.42 Kbytes Page：14 Pages	30V,P-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanMLPAK33(SOT8002)Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logiclevelcompatible •TrenchMOSFETtechnology •MLPAK33package(3.3x3.3mmf	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
PSMN013-30MLC
功能描述：
MOSFET N-channel MOSFET logic level LFPAK33
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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