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PSMN013-30MLC	文件：299.33 Kbytes Page：14 Pages	丝印：M13C30；Package：LFPAK33；N-channel 30 V 13.6 m廓 logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPower Technology 文件：299.33 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN013-30MLC_15	文件：370.75 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 30 V 13.6 m廓 logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPower Technology 文件：370.75 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PSMN013-30MLC	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 30 V 13.6 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPower Technology Logic level enhancement mode N-channel MOSFET in LFPAK33 package. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment.\n • Low parasitic inductance and resistance\n• Ultra low QG, QGD, & QOSS for high system efficiencies at low and high loads\n;	Nexperia 安世	Nexperia
PSMN013-30YLC	文件：908.63 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 30 V 13.6 m廓 logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology 文件：908.63 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PXP013-30QL	文件：330.42 Kbytes Page：14 Pages	30 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an MLPAK33 (SOT8002) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic level compatible • Trench MOSFET technology • MLPAK33 package (3.3 x 3.3 mm f 文件：330.42 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PXP013-30QLJ	文件：330.42 Kbytes Page：14 Pages	30 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an MLPAK33 (SOT8002) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Logic level compatible • Trench MOSFET technology • MLPAK33 package (3.3 x 3.3 mm f 文件：330.42 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

技术参数

Package name：
LFPAK33
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
30
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
13.6
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
16.9
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
39
QGD [typ] (nC)：
1
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
3.7
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
8
Ptot [max] (W)：
38
Qr [typ] (nC)：
6.6
VGSth [typ] (V)：
1.66
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
519
Coss [typ] (pF)：
131
Release date：
2012-04-11

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更多PSMN013-30MLC供应商更新时间2025-12-4 16:08:00

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