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PSM20N60CTB

丝印:PSM20N60CTB;Package:TO-263;20A 600V Single N-Channel Power MOSFET

文件:993.67 Kbytes 页数:10 Pages

PFC

节能元件

PSM20N60CTB

场效应电晶体

PFC

节能元件

PSM20N60CTF

20A 600V Single N-Channel Power MOSFET

文件:979.83 Kbytes 页数:10 Pages

PFC

节能元件

PSM20N60PT

20A 600V Single N-Channel Power MOSFET

文件:1.02969 Mbytes 页数:10 Pages

PFC

节能元件

RLBGB20N60

IGBT

Features 600V,20A VCE(sat)(typ.)=1.85V@VGE=15V,IC=20A High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveforms Square RBSOA General Description trench IGBTs offer lower losses and higher energy efficiency for application such as IH (induction heating),UPS, general

文件:806.53 Kbytes 页数:3 Pages

GWSEMI

唯圣电子

技术参数

  • Device VGS(V):

    30

  • Device ID(A) 25C:

    20

  • Device Ron(mΩ) Max:

    190

  • Device Qg (nC) Typ:

    75

  • Device Ciss (pF) Typ:

    2400

  • Vgs(th) Max:

    3.9

  • Tj:

    -55~150

  • Package:

    TO-263AB

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更多PSM20N60CTB供应商 更新时间2025-11-22 11:06:00