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TPCA8103	文件：254.55 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOS4) NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Smallfootprintduetoasmallandthinpackage •Lowdrain-sourceON-resistance: RDS(ON)=9.4mΩ(typ.)(VGS=−10V) •Lowleakagecurrent:IDSS=-10μA(max)(VDS=-30V) •Enhancementmode:	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCA8103	文件：288.36 Kbytes Page：7 Pages	LithiumIonBatteryApplicationsNotebookPCApplicationsPortableEquipmentApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCA8103	文件：1.0901 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •Notebook -LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TPCC8103	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCC8103	文件：225.87 Kbytes Page：7 Pages	NoteboookPCApplicationsPortableEqipmentApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCC8103	文件：223.37 Kbytes Page：7 Pages	FieldEffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOS?? NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Smallfootprintduetoasmallandthinpackage •Lowdrain-sourceON-resistance: RDS(ON)=9.4mΩ(typ.)(VGS=−10V) •Lowleakagecurrent:IDSS=-10μA(max)(VDS=-30V) •Enhancementmode:V	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCF8103	文件：264.38 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOSIII)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCF8103	文件：82.4 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTORSILICONPCHANNELMOSTYPE(U竊뛏OS?? SwitchingApplications DC-DCConverterApplications •HighDCcurrentgain:hFE=100to300(IC=0.3A) •Lowcollector-emittersaturation:VCE(sat)=0.2V(max) •High-speedswitching:tf=100ns(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCF8103	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCP8103-H	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
PS8103-A
功能描述：
高速光耦合器 Hi-Speed Analog Out
RoHS：
否
制造商：
Avago Technologies
最大正向二极管电压：
1.75 V
最大反向二极管电压：
5 V
最大功率耗散：
40 mW
最大工作温度：
+125 C
最小工作温度：
- 40 C
封装/箱体：
SOIC-5
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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