详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =150A / ICRM =300A SixPack IGBT Module 六组 IGBT 模块
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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =50A / ICRM =100A PIM IGBT Module 半导体激光器模块
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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =40A / ICRM =80A PIM IGBT Module 半导体激光器模块
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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =25A / ICRM =50A PIM IGBT Module 半导体激光器模块
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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =40A / ICRM =80A PIM IGBT Module 半导体激光器模块
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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =25A / ICRM =50A PIM IGBT Module 半导体激光器模块
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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =15A / ICRM =30A PIM IGBT Module 半导体激光器模块
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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =600A / ICRM =1200A Half Bridge IGBT Module 半桥 IGBT 模块
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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1700V，IC nom =450A / ICRM =900A Half Bridge IGBT Module 半桥 IGBT 模块
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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =450A / ICRM =900A Half Bridge IGBT Module 半桥 IGBT 模块
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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =450A / ICRM =900A 62mm Half Bridge IGBT Module 62毫米半桥 IGBT 模块
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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =450A / ICRM =900A 62mm Half Bridge IGBT Module 62毫米半桥 IGBT 模块
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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1700V，IC nom =300A / ICRM =600A 62mm Half Bridge IGBT Module 62毫米半桥 IGBT 模块
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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 高压变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1700V，IC nom =400A / ICRM =800A 62mm Half Bridge IGBT Module 62毫米半桥 IGBT 模块
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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1700V，IC nom =200A / ICRM =400A 62mm Half Bridge IGBT Module 62毫米半桥 IGBT 模块
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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =300A / ICRM =600A 62mm Half Bridge IGBT Module 62毫米半桥 IGBT 模块
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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 逆变焊机 感应加热 高频开关应用 逆变器 VCES =1200V，IC nom =300A / ICRM =600A 62mm Half Bridge IGBT Module 62毫米半桥 IGBT 模块
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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 650V 沟槽栅/场终止工艺 低 Vcesat 正温度系数 典型应用: 电机驱动变频器 不间断电源 VCES =650V，IC nom =200A / ICRM =400A 34mm Half Bridge IGBT Module 34毫米半桥 IGBT 模块
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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1200V，IC nom =200A / ICRM =400A 62mm Half Bridge IGBT Module 62毫米半桥 IGBT 模块
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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 逆变焊机 感应加热 高频开关应用 逆变器 VCES =1200V，IC nom =200A / ICRM =400A 62mm Half Bridge IGBT Module 62毫米半桥 IGBT 模块
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