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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 原装正品,支持BOM配单! AD8656ARMZ-REEL市场行情分销商ADI/亚德诺技术参数MSOP821+原装正品,支持BOM配单!
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ADI/亚德诺
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MSOP8
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21+
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ADI/亚德诺
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MSOP8
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详情场效应管/MOSFET>MOSFET CGO03/CN00651915库存现货价格staubliic资料下载2022+
staubli
6000
2022+
详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 全新原装英达变频整流二极管PD100KN16PD100KN16 安川变频器1000系列整流模块 型号:PD100KN16PD150KN16 制造商:NIEC 制造商全称:Nihon 功能描述参数:100A150A 电压:1600V 全新原装英达变频整流二极管PD100KN16 PD100KN16
NIEC
2000
NA
20+
详情场效应管/MOSFET>MOSFET 16年电子元件现货供应商终端BOM表可配单提供样品 L30960-N2800-A401 L30960-N2800-A400 CINTERION 模块
CINTERION
22250
MODULE
23+
详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 航宇科工半导体-央企合格优秀供方! 优势出ZMACDC220S28/112W公司现货
振华微
540
DIP
22+
详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 代理-优势-原装-正品-现货*期货 XC5VFX130T-2FFG1728I批发供应采购赛灵斯使用说明书22+代理-优势-原装-正品-现货*期货
赛灵斯
800
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详情场效应管/MOSFET>MOSFET 原装正品百分百现货库存!样品可出,买正品,认准宝芯创~ SI2300DS-T1-GE3 SOT-23 VISHAY(威世) 场效应管
VISHAY(威世)
6000
SOT-23
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Nexperia(安世)
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SOT-669
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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 原装正品现货,样品可拆当天发! 1-1571563-1供应代理商TEConnectivity泰科技术参数DIP2022原装正品现货,样品可拆当天发!
TE Connectivity泰科
33228
DIP
2022
详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1200V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES=1200V,ICnom=75A/ICRM=150A PIM IGBT Module 半导体激光器模块
科瑞半导体/Corisemi
1000
IGBT模块
23+
详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1200V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES=1200V,ICnom=100A/ICRM=200A PIM IGBT Module 半导体激光器模块
科瑞半导体/Corisemi
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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1200V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES=1200V,ICnom=150A/ICRM=300A SixPack IGBT Module 六组 IGBT 模块
科瑞半导体/Corisemi
1000
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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1200V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES=1200V,ICnom=50A/ICRM=100A PIM IGBT Module 半导体激光器模块
科瑞半导体/Corisemi
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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1200V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES=1200V,ICnom=40A/ICRM=80A PIM IGBT Module 半导体激光器模块
科瑞半导体/Corisemi
1000
IGBT模块
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