AD8656ARMZ-REEL
更新时间 2023-10-16 18:31:00

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CGO03/CN00651915
更新时间 2023-10-10 17:50:00

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详情场效应管/MOSFET>MOSFET CGO03/CN00651915库存现货价格staubliic资料下载2022+

整流桥模块PD100KN16P
更新时间 2023-10-7 16:31:00

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L30960-N2800-A401L30960-N2800-A400
更新时间 2023-9-1 10:53:00

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详情场效应管/MOSFET>MOSFET 16年电子元件现货供应商终端BOM表可配单提供样品 L30960-N2800-A401 L30960-N2800-A400 CINTERION 模块

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ZMACDC220S28/112W
更新时间 2023-8-14 9:06:00

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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 航宇科工半导体-央企合格优秀供方! 优势出ZMACDC220S28/112W公司现货

JW1083
更新时间 2023-8-5 16:31:00

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35CGQ100
更新时间 2023-8-5 12:08:00

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详情场效应管/MOSFET 航宇科工半导体-央企合格优秀供方! 优势出35CGQ100公司现货!

45CKQ100
更新时间 2023-8-5 12:08:00

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XC5VFX130T-2FFG1728I
更新时间 2023-7-28 15:15:00

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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 代理-优势-原装-正品-现货*期货 XC5VFX130T-2FFG1728I批发供应采购赛灵斯使用说明书22+代理-优势-原装-正品-现货*期货

SI2300DS-T1-GE3
更新时间 2023-7-14 17:17:00

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详情场效应管/MOSFET>MOSFET 原装正品百分百现货库存!样品可出,买正品,认准宝芯创~ SI2300DS-T1-GE3 SOT-23 VISHAY(威世) 场效应管

DMN65D8LFb-7B
更新时间 2023-7-14 16:40:00

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详情场效应管/MOSFET>MOSFET 原装正品百分百!现货库存销售!低价销售。欢迎咨询! DMN65D8LFb-7B X1-DFN1006-3 DIODES(美台) 场效应管

MRF300AN
更新时间 2023-7-14 16:26:00

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详情场效应管/MOSFET>MOSFET 原装正品百分百现货库存!样品可出,买正品,认准宝芯创~ MRF300AN TO-247 NXP(恩智浦) 场效应管

BUK9Y12-55B
更新时间 2023-7-14 16:24:00

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FQA30N40
更新时间 2023-6-13 15:37:00

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详情场效应管/MOSFET>MOSFET FQA30N40 TO-3P FAIRCHILD/仙童 MOS(场效应管) 原装正品

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更新时间 2023-5-30 11:57:00

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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 原装正品现货,样品可拆当天发! 1-1571563-1供应代理商TEConnectivity泰科技术参数DIP2022原装正品现货,样品可拆当天发!

CSP75R12B61200V75A
更新时间 2023-5-29 15:46:00

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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1200V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES=1200V,ICnom=75A/ICRM=150A PIM IGBT Module 半导体激光器模块

CSP100R12B61200V100A
更新时间 2023-5-29 15:46:00

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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1200V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES=1200V,ICnom=100A/ICRM=200A PIM IGBT Module 半导体激光器模块

CSS150R12B61200V150A
更新时间 2023-5-29 15:46:00

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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1200V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES=1200V,ICnom=150A/ICRM=300A SixPack IGBT Module 六组 IGBT 模块

CSP50R12H61200V50A
更新时间 2023-5-29 14:12:00

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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1200V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES=1200V,ICnom=50A/ICRM=100A PIM IGBT Module 半导体激光器模块

CSP40R12H61200V40A
更新时间 2023-5-29 14:09:00

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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1200V沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES=1200V,ICnom=40A/ICRM=80A PIM IGBT Module 半导体激光器模块