FS75R12W2T7BPSA1
更新时间 2023-12-7 9:33:00

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更新时间 2023-12-6 11:47:00

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更新时间 2023-12-6 11:06:00

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FP30R06KE3BPSA1
更新时间 2023-12-6 11:06:00

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更新时间 2023-12-6 11:06:00

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FF900R12ME7PB11BPSA1
更新时间 2023-12-6 11:06:00

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NXH400N100H4Q2F2SG
更新时间 2023-12-6 11:06:00

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FF600R12KE7BPSA1
更新时间 2023-12-6 10:52:00

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更新时间 2023-12-6 10:52:00

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FF450R08A03P2XKSA1
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FF2400RB12IP7BPSA1
更新时间 2023-12-6 10:52:00

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更新时间 2023-12-6 10:52:00

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整流桥模块PD100KN16P
更新时间 2023-10-7 16:31:00

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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 全新原装英达变频整流二极管PD100KN16 PD100KN16 安川变频器1000系列整流模块 型号:PD100KN16 PD150KN16 制造商:NIEC 制造商全称:Nihon 功能描述参数: 100A 150A 电压:1600 V 全新原装英达变频整流二极管PD100KN16 PD100KN16

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XC5VFX130T-2FFG1728I
更新时间 2023-7-28 15:15:00

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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 代理-优势-原装-正品-现货*期货 XC5VFX130T-2FFG1728I批发供应采购赛灵斯使用说明书22+代理-优势-原装-正品-现货*期货

SI2300DS-T1-GE3
更新时间 2023-7-14 17:17:00

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详情场效应管/MOSFET>MOSFET 原装正品百分百现货库存!样品可出,买正品,认准宝芯创~ SI2300DS-T1-GE3 SOT-23 VISHAY(威世) 场效应管

DMN65D8LFb-7B
更新时间 2023-7-14 16:40:00

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详情场效应管/MOSFET>MOSFET 原装正品百分百!现货库存销售!低价销售。欢迎咨询! DMN65D8LFb-7B X1-DFN1006-3 DIODES(美台) 场效应管

BUK9Y12-55B
更新时间 2023-7-14 16:24:00

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详情场效应管/MOSFET>MOSFET 原装正品百分百现货库存!样品可出,买正品,认准宝芯创~ BUK9Y12-55B SOT-669 Nexperia(安世) 场效应管

1-1571563-1
更新时间 2023-5-30 11:57:00

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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 原装正品现货,样品可拆当天发! 1-1571563-1供应代理商TEConnectivity泰科技术参数DIP2022原装正品现货,样品可拆当天发!

CSP75R12B61200V75A
更新时间 2023-5-29 15:46:00

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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES =1200V,IC nom =75A / ICRM =150A PIM IGBT Module 半导体激光器模块

CSP100R12B61200V100A
更新时间 2023-5-29 15:46:00

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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 伺服 逆变器 VCES =1200V,IC nom =100A / ICRM =200A PIM IGBT Module 半导体激光器模块