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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 逆变焊机 感应加热 高频开关应用 逆变器 VCES =1200V，IC nom =100A / ICRM =200A 34mm Half Bridge IGBT Module 34毫米半桥 IGBT 模块
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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1700V，IC nom =100A / ICRM =200A 34mm Half Bridge IGBT Module 34毫米半桥 IGBT 模块
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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1700V，IC nom =75A / ICRM =150A 34mm Half Bridge IGBT Module 34毫米半桥 IGBT 模块
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