详情二极管>整流二极管 技术肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)100 V 电流 - 平均整流 (Io)3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)850 mV @ 3 A 速度快速恢复 = 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏500 μA @ 100 V 不同?Vr、F 时电容250pF @ 4V，1MHz 安装类型表面贴装型 封装/外壳DO-214AC，SMA 供应商器件封装DO- SK310A-LTP市场行情分销商MCCic资料下载SMA(DO-214AC)2025+技术肖特基 电压 - DC 反向 (Vr
MCC
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SMA(DO-214AC)
2025+
详情二极管>整流二极管 晶体管类型NPN 电流 - 集电极 (Ic)200 mA 电压 - 集射极击穿40 V 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降300mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)100 @ 10mA，1V 功率300 mW 频率 - 跃迁300MHz 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型表面贴装型 封装/外壳TO-236-3，S MMBT3904LT1G库存现货价格ON SEMICONDUCTORic资料下载SOT-232025+晶体管类型NPN 电流 - 集电极 (I
ON SEMICONDUCTOR
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SOT-23
2025+
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SOT23
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SOD-523
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IXYS
6000
TO247
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Infineon
3000
SOT723
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TI
3000
SOT23-6
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LITE-ON
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0603
2025+
详情二极管>整流二极管 技术标准 电压 - DC 反向 (Vr)1000 V 电流 - 平均整流 (Io)1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1 V @ 1 A 速度标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间 (trr)2 μs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5 μA @ 1000 V 不同?Vr、F 时电容8pF @ 4V，1MHz 安装类型通孔 封装/外壳DO-204AL，DO-41，轴向 1N4007G-T批发采购价格DIODES INCORPORATED数据手册Reel2024+技术标准 电压 - DC 反向 (Vr)
DIODES INCORPORATED
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Reel
2024+
详情二极管>整流二极管 技术标准 电压 - DC 反向 (Vr)1000 V 电流 - 平均整流 (Io)1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.1 V @ 1 A 速度标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间 (trr)1.5 μs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5 μA @ 1000 V 不同?Vr、F 时电容- 安装类型通孔 封装/外壳DO-204AC，DO-41，轴向 供应商器件封装 1N4007货源供应商报价GOODWORKPDF资料DO-412511技术标准 电压-DC反向(Vr)
GOODWORK
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DO-41
2511
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CJ
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SMA(DO-214AC)
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ST
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