详情二极管>整流二极管 技术肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)（大值）60 V 电流 - 平均整流 (Io)2A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)610 mV @ 2 A 速度快速恢复 = 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏50 μA @ 60 V 不同?Vr、F 时电容- 安装类型表面贴装型 封装/外壳SOD-123F 供应商器件封装PMDU 工作温度 - 结150°C（大 全新 现货 RB060MM-60TR 二极管 60 V 2A 表面贴装型 PMDU
ROHM
3101
Reel
2306
详情二极管>整流二极管 晶体管类型NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)（大值）100 mA 电压 - 集射极击穿（大值）50 V 电阻器 - 基极 (R1)4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)47 kOhms 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（小值）100 @ 10mA，5V 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（大值）100mV @ 250μA，5mA 电流 - 集电极截止（大 全新 现货 NEXPERIA 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 200 mW 表面贴装型 SOT-323
NEXPERIA
49800
Reel
2330
详情二极管>整流二极管 晶体管类型NPN 电流 - 集电极 (Ic)（大值）300 mA 电压 - 集射极击穿（大值）400 V 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（大值）750mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（大值）100nA（ICBO） 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（小值）50 @ 10mA，10V 功率 - 大值1.35 W 频率 - 跃迁20MHz 工作温度150°C（T 全新 现货 PZTA44,115 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 400 V 300 mA 20MHz 1.35 W 表面贴装型 SOT-223
NEXPERIA
9172
Reel
2322
详情二极管>整流二极管 技术肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)（大值）10 V 电流 - 平均整流 (Io)3A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)580 mV @ 1 A 速度快速恢复 = 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏6 μA @ 10 V 不同?Vr、F 时电容- 安装类型表面贴装型 封装/外壳SC-76，SOD-323 供应商器件封装SOD-323 工作温度 - 结 全新 现货 BAT60JFILM 二极管 10 V 3A 表面贴装型 SOD-323
STMICROELECTRONICS
5640
SOD-323
2142
详情二极管>整流二极管 技术肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)（大值）60 V 电流 - 平均整流 (Io)1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)700 mV @ 1 A 速度快速恢复 = 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏100 μA @ 60 V 不同?Vr、F 时电容120pF @ 4V，1MHz 安装类型表面贴装型 封装/外壳SC-76，SOD-323 供应商器件封装 全新 现货 BSR106WS-TP 二极管 60 V 1A 表面贴装型 SOD-323
MCC
16260
Reel
2346
详情二极管>整流二极管 电压 - 齐纳（标称值）(Vz)3.3 V 容差±5%_功率 - 大值500 mW 阻抗（大值）(Zzt)95 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5 μA @ 1 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)900 mV @ 10 mA 工作温度-55°C ~ 150°C 安装类型表面贴装型 封装/外壳SOD-123 供应商器件封装SOD-123 全新 现货 MMSZ3V3T1G 二极管 - 齐纳 3.3 V 500 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
ON SEMICONDUCTOR
59065
SOD-123
2346
详情二极管>整流二极管 电阻1 kOhms 容差±1%_功率 (W)0.25W，1/4W 成分厚膜 特性防潮 温度系数±100ppm/°C 工作温度-55°C ~ 155°C 封装/外壳1206（3216 公制） 供应商器件封装1206 大小 / 尺寸0.122 长 x 0.063 宽（3.10mm x 1.60mm） 高度 - 安装（大值）0.026（0.65mm） 端子数2 全新 现货 EL3H7(C)(TA)-G 二极管 晶体管输出光电耦合器 200-400CTR 3750Vrms
EVERLIGHT
5017
Reel
230807
详情二极管>整流二极管 晶体管类型NPN 电流 - 集电极 (Ic)（大值）500 mA 电压 - 集射极击穿（大值）45 V 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（大值）700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（大值）100nA（ICBO） 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（小值）250 @ 100mA，1V 功率 - 大值350 mW 频率 - 跃迁100MHz 工作温度150° 全新 现货 BC817K-40HVL 晶体管 双极 单 NPN 45 V 500 mA 100MHz 350 mW 表面贴装型 TO-236AB
NEXPERIA
28250
Reel
2328
详情二极管>整流二极管 电压 - 齐纳（标称值）(Vz)16 V 容差±5%_功率1 W 阻抗15 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏500 nA @ 12.2 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.2 V @ 200 mA 工作温度-65°C ~ 150°C 安装类型表面贴装型 封装/外壳DO-214AC，SMA 供应商器件封装SMA 基本产品编号SMAZ16 全新 现货 SMAZ16-13-F 二极管 - 齐纳 16 V 1 W ±5% 表面贴装型 SMA
DIODES INCORPORATED
5149
Reel
2302
详情二极管>整流二极管 电压 - 齐纳（标称值）(Vz)51 V 容差±5%_功率 - 大值225 mW 阻抗（大值）(Zzt)125 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏100 nA @ 39 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)900 mV @ 10 mA 工作温度-65°C ~ 150°C 等级汽车级 资质AEC-Q101 安装类型表面贴装型 封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供 全新 现货 SZMMBZ5262BLT1G 二极管 - 齐纳 51 V 225 mW ±5% 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）
ON SEMICONDUCTOR
3337
Reel
2209
详情二极管>整流二极管 晶体管类型NPN 电流 - 集电极 (Ic)（大值）100 mA 电压 - 集射极击穿（大值）45 V 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（大值）400mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（大值）15nA（ICBO） 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（小值）420 @ 2mA，5V 功率 - 大值250 mW 频率 - 跃迁100MHz 工作温度150°C（TJ 全新 现货 BC847C,215 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 100 mA
NEXPERIA
13517
SOT-23
2323
详情二极管>整流二极管 电压 - 齐纳（标称值）(Vz)2.4 V 容差±5%_功率 - 大值500 mW 阻抗（大值）(Zzt)30 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏100 μA @ 1 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)900 mV @ 10 mA 工作温度-55°C ~ 150°C 安装类型表面贴装型 封装/外壳SOD-123 供应商器件封装SOD-123 基本产品编号MMSZ522 全新 原装 现货 MMSZ5221BT1G 二极管 - 齐纳 2.4 V 500 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
ON SEMICONDUCTOR
8256
TO-263-3
2245
详情二极管>整流二极管 晶体管类型NPN 电流 - 集电极 (Ic)（大值）600 mA 电压 - 集射极击穿（大值）40 V 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（大值）1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（大值）10nA（ICBO） 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（小值）100 @ 150mA，10V 功率 - 大值1.5 W 频率 - 跃迁300MHz 工作温度-55°C ~ 全新 现货 PZT2222AT1G 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 1.5 W 表面贴装型
ON SEMICONDUCTOR
1968
SOT-223
2327
