IXFA10N60PRds (on) 0.74Ω，低栅荷软体二极管抑 EMI，耐雪崩，-55~150℃，适配小型 PFC、谐振电源、LED 高压驱动与小功率逆变器。

原厂料号：IXFA10N60P品牌：Littelfuse/IXYS

IXYS IXFA10N60P TO-263 贴片 HiPerFET N 沟道 MOS，600V/10A，200W，Rds (on) 0.74Ω，低栅荷软体二极管抑 EMI，耐雪崩，-55~150℃，适配小型 PFC、谐振电源、LED 高压驱动与小功率逆变器。

• 芯片型号：

  IXFA10N60P

• 规格书：

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• 企业简称：

  IXYS【艾赛斯】详情

• 厂商全称：

  IXYS Corporation

• 内容页数：

  5 页

• 文件大小：

  252.41 kb

• 资料说明：

  Power MOSFET