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QEE113	文件：125.71 Kbytes Page：5 Pages	PlasticInfraredLightEmittingDiode Description TheQEE113isa940nmGaAsLEDencapsulatedinamediumwideangle,plasticsidelookerpackage. Features •λ=940nm •PackageType=Sidelooker •ChipMaterial=GaAs •MatchedPhotosensor:QSE113 •MediumWideEmissionAngle,50° •PackageMaterial:ClearEpoxy •HighOutp	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
QSC113	文件：105.36 Kbytes Page：4 Pages	PLASTICSILICONINFRAREDPHOTOTRANSISTOR Description TheQSC112/113/114isasiliconphototransistorencapsulatedinaninfraredtransparent,blackT-1package. Features ■Tightproductiondistribution ■Steelleadframesforimprovedreliabilityinsoldermounting ■Goodoptical-to-mechanicalalignment ■Plasticpackageisinfrare	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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QSE113	文件：320.16 Kbytes Page：4 Pages	PLASTICSILICONINFRAREDPHOTOTRANSISTOR DESCRIPTION TheQSE113/114isasiliconphototransistorencapsulatedinawideangle,infraredtransparent,blackplasticsidelookerpackage. FEATURES •NPNsiliconphototransistor •Packagetype:Sidelooker •Mediumwidereceptionangle,50° •Packagematerialandcolor:blackepoxy •Matc	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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