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TPC6003	文件：492.97 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •LowOn-Resistance •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters,HighSpeedSwitching	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TPWR6003PL	文件：520.37 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETsSiliconN-channelMOS(U-MOS??H)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TZ-6003	文件：1.23814 Mbytes Page：2 Pages	LimitSwitchs	GREEGOO GREEGOO Electric Co.,Ltd	GREEGOO
UD6003	文件：882.19 Kbytes Page：4 Pages	P-Ch60VFastSwitchingMOSFETs	UNITPOWER Unitpower Technology Limited	UNITPOWER
UM6003	文件：811.81 Kbytes Page：4 Pages	P-Ch60VFastSwitchingMOSFETs	XINDEYI ShenZhen XinDeYi Electronics Co., Ltd.	XINDEYI
UM6003	文件：811.81 Kbytes Page：4 Pages	P-Ch60VFastSwitchingMOSFETs GeneralDescription TheUM6003isthehighestperformancetrenchN-chMOSFETswithextremehighcelldensity,whichprovideexcellentRDSONandgatechargeformostofthesynchronousbuckconverterapplications. TheUM6003meettheRoHSandGreenProductrequirement,100EASguaranteedwith	UNITPOWER Unitpower Technology Limited	UNITPOWER
UP6003	文件：152.68 Kbytes Page：11 Pages	TinyPackage,HighPerformance,ConstantCurrentSwitchingRegulator	UPI uPI Semiconductor Corp	UPI
WAP-6003	文件：568.69 Kbytes Page：6 Pages	Providesflexibilityof5x10/100BASE-TXportsCompatiblewithIEEE802.11b/g/nwirelessstandards	LVL1 Level One	LVL1
WBR-6003	文件：438.16 Kbytes Page：5 Pages	150MbpsAutoChannelSelectionforlowinterferencebandEnlargewirelessnetworkcoveragethroughWDStechnology	LVL1 Level One	LVL1
WNMD6003	文件：1.83569 Mbytes Page：7 Pages	DualN-Channel,60V,0.30A,PowerMOSFET	WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.Shanghai 韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司	WILLSEMI

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产品属性

产品编号：
PR6003-T
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
6A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
140pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
R-6，轴向
供应商器件封装：
R-6
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 200V 6A R6

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