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RJK6002DPD

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features •Lowon-resistance •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RJK6002DPD

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

RJK6002DPE

600V-2A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features •Lowon-resistance RDS(on)=5.7Ωtyp.(atID=1A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RN6002

MotorDriveCircuitApplications/PowerAmplifierApplications/PowerSwitchingApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

S6002CS

EVSeries2ASensitiveSCRs

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

S6002CSRP

EVSeries2ASensitiveSCRs

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

S6002ES

EVSeries2ASensitiveSCRs

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

S6002ESAP

EVSeries2ASensitiveSCRs

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

S6002ESRP

EVSeries2ASensitiveSCRs

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

S6002TS

EVSeries2ASensitiveSCRs

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

产品属性

  • 产品编号:

    PR6002-T

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    6A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    140pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    R-6,轴向

  • 供应商器件封装:

    R-6

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 100V 6A R6

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多PR6002-T供应商 更新时间2025-7-12 17:00:00