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QPA1003P	文件：620.34 Kbytes Page：20 Pages	1–8GHz10WGaNPowerAmplifier ProductFeatures •FrequencyRange:1–8GHz •POUT:40dBm(PIN=15dBm) •PAE:30(PIN=15dBm) •LargeSignalGain:25dB(PIN=15dBm) •SmallSignalGain:30dB •Bias:VD=+28V,IDQ=650mA •PackageDimensions:5.0x6.0x1.76mm •ProcessTechnology:QGaN15	QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	QORVO
QPD1003	文件：1.08776 Mbytes Page：18 Pages	500W,50V,1.2??1.4GHz,GaNRFIMFET	QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	QORVO
R1003	文件：37.74 Kbytes Page：4 Pages	SwitchingApplication SwitchingApplication(BiasResistorBuiltIn) •Switchingcircuit,Inverter,Interfacecircuit,DriverCircuit •BuiltinbiasResistor(R1=22KΩ,R2=22KΩ) •ComplementtoKSR2003	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RBU1003M	文件：233.99 Kbytes Page：3 Pages	SINGLE-PHASEGLASSPASSIVATEDSILICONBRIDGERECTIFIERVOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT10.0Ampere	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RBU1003M	文件：131.7 Kbytes Page：5 Pages	SINGLE-PHASEGLASSPASSIVATEDSILICONBRIDGERECTIFIER	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RF1003	文件：232.6 Kbytes Page：5 Pages	SAWFilter	REYCONNSREYCONNS CHINA LIMITED 来亿中国来亿中国有限公司	REYCONNS
RFHA1003	文件：1.07147 Mbytes Page：11 Pages	30MHzTO512MHz,9WGaNWIDEBAND	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RFHA1003SB	文件：1.07147 Mbytes Page：11 Pages	30MHzTO512MHz,9WGaNWIDEBAND	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RFHA1003SQ	文件：1.07147 Mbytes Page：11 Pages	30MHzTO512MHz,9WGaNWIDEBAND	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RFHA1003SR	文件：1.07147 Mbytes Page：11 Pages	30MHzTO512MHz,9WGaNWIDEBAND	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD

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产品属性

产品编号：
PR1003GL-T
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
15pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-41
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

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