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RFS1003	文件：75.07 Kbytes Page：4 Pages	5.1-5.9GHzU-NIIPowerAmplifier	ANADIGICS ANADIGICS, Inc	ANADIGICS
RFUV1003	文件：1.5238 Mbytes Page：10 Pages	GaAsMMICIQUpConverter12GHzto16GHz	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RFUV1003SB	文件：1.5238 Mbytes Page：10 Pages	GaAsMMICIQUpConverter12GHzto16GHz	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RFUV1003SQ	文件：1.5238 Mbytes Page：10 Pages	GaAsMMICIQUpConverter12GHzto16GHz	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RFUV1003SR	文件：1.5238 Mbytes Page：10 Pages	GaAsMMICIQUpConverter12GHzto16GHz	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RL1003CT	文件：256.97 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPASSIVATEDSILICONRECTIFIER	HORNBYNantong Hornby Electronic Co.,Ltd 南通康比电子南通康比电子有限公司	HORNBY
RN1003	文件：253.01 Kbytes Page：6 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RQG1003UQAQF	文件：317.44 Kbytes Page：17 Pages	NPNSiliconGermaniumTransistorHighFrequencyLowNoiseAmplifier Features •IdealforLNAapplications.e.g.Tuner,WirelessLANCordlessphoneandetc. •Highgainandlownoise. MSG=26dBtyp.,NF=0.55dBtyp.atVCE=2V,IC=10mA,f=0.9GHz MSG=22dBtyp.,NF=0.65dBtyp.atVCE=2V,IC=10mA,f=1.8GHz MSG=20dBtyp.,NF	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RQG1003UQ-TL-E	文件：317.44 Kbytes Page：17 Pages	NPNSiliconGermaniumTransistorHighFrequencyLowNoiseAmplifier Features •IdealforLNAapplications.e.g.Tuner,WirelessLANCordlessphoneandetc. •Highgainandlownoise. MSG=26dBtyp.,NF=0.55dBtyp.atVCE=2V,IC=10mA,f=0.9GHz MSG=22dBtyp.,NF=0.65dBtyp.atVCE=2V,IC=10mA,f=1.8GHz MSG=20dBtyp.,NF	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RS1003	文件：78.83 Kbytes Page：2 Pages	10AmpSinglePhaseBridgeRectifier50to1000Volts Features •LowForwardVoltageDrop •IdealForPrinterCircuitBoards •HighCurrentCapabilityandHighReliability •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(NOTE1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginforma	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

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产品属性

产品编号：
PR1003GL-T
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
15pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-41
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

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