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PN54SC8T595MPWTSEP	文件：1.30469 Mbytes Page：32 Pages	SN54SC8T595-SEP Radiation Tolerant 8-Bit Shift Registers With 3-State Output And Logic Level Shifter 1 Features • VID TBD • Radiation Tolerant: – Single Event Latch-Up (SEL) immune up to 43 MeV-cm2/mg at 125°C – Total Ionizing Does (TID) Radiation Lot Acceptance Testing (RLAT) for every wafer lot up to 30 krad(Si) – Single Event Transient (SET) characterized up to LET = 43 MeV-cm2/mg • 文件：1.30469 Mbytes 页数：32 Pages	TI 德州仪器	TI
PN54SC8T595MPWTSEP	文件：1.15481 Mbytes Page：29 Pages	SN54SC8T595-SEP Radiation Tolerant 8-Bit Shift Registers With 3-State Output And Logic Level Shifter 1 Features • Vendor item drawing available, VID V62/25621-01XE • Radiation - Total Ionizing Dose (TID): – TID characterized up to 50krad(Si) – TID performance assurance up to 30krad(Si) – Radiation Lot Acceptance Testing (RLAT) for every wafer lot up to 30krad(Si) • Radiation - Single-Even 文件：1.15481 Mbytes 页数：29 Pages	TI 德州仪器	TI
PN54SLC8T245PWTSEP	文件：948.41 Kbytes Page：22 Pages	SN54SLC8T245-SEP 8-Bit Dual-Supply Bus Transceiver With Configurable Voltage Translation and Tri-State Outputs 1 Features • VID V62/22604 • Radiation tolerant: – Single event latch-up (SEL) immune up to 43 MeV-cm2 /mg at 125°C – Total ionizing dose (TID) Radiation Lot Acceptance Testing (RLAT) for every wafer lot up to 20 krad(Si) • Qualified, fully configurable dual-rail design allows each port t 文件：948.41 Kbytes 页数：22 Pages	TI 德州仪器	TI
PN54SLC8T245PWTSEP	文件：948.89 Kbytes Page：22 Pages	SN54SLC8T245-SEP 8-Bit Dual-Supply Bus Transceiver With Configurable Voltage Translation and Tri-State Outputs 1 Features • VID V62/22604 • Radiation tolerant: – Single event latch-up (SEL) immune up to 43 MeV-cm2 /mg at 125°C – Total ionizing dose (TID) Radiation Lot Acceptance Testing (RLAT) for every wafer lot up to 20 krad(Si) • Qualified, fully configurable dual-rail design allows each port t 文件：948.89 Kbytes 页数：22 Pages	TI 德州仪器	TI
PN54-100M	文件：435.57 Kbytes Page：17 Pages	SMD Power Inductors Unshielded 文件：435.57 Kbytes 页数：17 Pages	PREMO 普莱默	PREMO
PN54-101K	文件：435.57 Kbytes Page：17 Pages	SMD Power Inductors Unshielded 文件：435.57 Kbytes 页数：17 Pages	PREMO 普莱默	PREMO
PN54-120M	文件：435.57 Kbytes Page：17 Pages	SMD Power Inductors Unshielded 文件：435.57 Kbytes 页数：17 Pages	PREMO 普莱默	PREMO
PN54-121K	文件：435.57 Kbytes Page：17 Pages	SMD Power Inductors Unshielded 文件：435.57 Kbytes 页数：17 Pages	PREMO 普莱默	PREMO
PN54-150L	文件：435.57 Kbytes Page：17 Pages	SMD Power Inductors Unshielded 文件：435.57 Kbytes 页数：17 Pages	PREMO 普莱默	PREMO
PN54-151K	文件：435.57 Kbytes Page：17 Pages	SMD Power Inductors Unshielded 文件：435.57 Kbytes 页数：17 Pages	PREMO 普莱默	PREMO

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晶体管资料

型号：
PN5447
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
低频或音频放大（LF）_静噪放大（LN）_宽频带放大
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
3CK10B,
最大耗散功率：
0.6W
放大倍数：
图片代号：
A-10
vtest：
40
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0.6

技术参数

电压 - 击穿（V（BR）GSS）：
25V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）：
30mA @ 15V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：
1V @ 3nA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
30pF @ 10V（VGS）
电阻 - RDS（开）：
10 Ohms
功率 - 最大值：
350mW
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	PN5432		24+		10000	现货库存	询价
芯有半导体（深圳）有限公司	PN5415	PHI	05+	原厂原装	2253	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市恒创达实业有限公司	PN5441A2ET/C30701	恩XP	17+	BGA64	6200	100%原装正品现货	询价
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深圳市鹏和科技有限公司	PN5472A2EV/C20801	恩XP	24+	BGA	5000	全现原装公司现货	询价
深圳市海天鸿电子科技有限公司	PN5441A2ET/C20501	NEXPERIA	1728+	?	6500	只做原装进口,假一罚十	询价
上海专毅电子科技有限公司	PN5441A2ET/C	恩XP	17+	BGA	9888	只做原装,现货库存	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	PN5472A2UK/C20803Z	恩XP	24+	SMD	10	NXP一级代理商原装进口现货,假一赔十	询价
深圳市振宏微科技有限公司	PN5441A2ET/C20501	恩XP	23+	原厂封装	13528	振宏微原装正品,假一罚百	询价

更多PN54供应商更新时间2026-4-21 16:01:00

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