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PN3564	文件：20.68 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued) 文件：20.68 Kbytes 页数：1 Pages	Central	Central
PN3565	文件：20.68 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued) 文件：20.68 Kbytes 页数：1 Pages	Central	Central
PN3565	文件：22.86 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPN General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from Process 10. See PN100 for characteristics. 文件：22.86 Kbytes 页数：2 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
PN3565	文件：42.6 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION PN3565 is PNP silicon planar transistor designed for AF small signal amplifier stages. 文件：42.6 Kbytes 页数：1 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
PN3566	文件：26.1 Kbytes Page：3 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPN General Purpose Amplifier • This device is for use as a medium amplifier and switch requiring collector currents up 300mA. • Sourced from process 19. 文件：26.1 Kbytes 页数：3 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
PN3566	文件：20.68 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued) 文件：20.68 Kbytes 页数：1 Pages	Central	Central
PN3567	文件：20.68 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued) 文件：20.68 Kbytes 页数：1 Pages	Central	Central
PN3567	文件：28.63 Kbytes Page：4 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPN Small Signal General Purpose Amplifiers 文件：28.63 Kbytes 页数：4 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
PN3567	文件：42.99 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR description PN3567 is NPN silicon planar epitaxial transistor designed for amplifier and switching applications. 文件：42.99 Kbytes 页数：1 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
PN3568	文件：102.33 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR SILICON NPN TRANSISTOR PN3568 is NPN silicon planar epitaxial transistor designed for amplifier and switching applications for collector current up to 500mA. 文件：102.33 Kbytes 页数：1 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS

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产品属性

产品编号：
PN3563
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
15V
频率 - 跃迁：
1.5GHz
增益：
14dB ~ 26dB
功率 - 最大值：
350mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 8mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
RF TRANS NPN 15V 1.5GHZ TO92-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市宏世佳电子科技有限公司	PN3563	FAIRCHILDSEM	2025+	TO-92-3	3577	全新原厂原装产品、公司现货销售	询价

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