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PMZB370UNE规格书详情
描述 Description
30 V, single N-channel Trench MOSFET - N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
·Very fast switching
·Trench MOSFET technology
·Low threshold voltage
·Ultra thin package profile with 0.37 mm height
·ESD protection up to 2 kV
应用 Application
·Relay driver
·High-speed line driver
·Low-side loadswitch
·Switching circuits
技术参数
- 制造商编号
：PMZB370UNE
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN1006B-3
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Number of transistors
：1
- V_DS [max] (V)
：30
- R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)
：490
- R_DSon [max] @ V_GS = 2.5 V (mΩ)
：750
- T_j [max] (°C)
：150
- I_D [max] (A)
：0.9
- Q_GD [typ] (nC)
：0.16
- Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 4.5 V (nC)
：0.77
- P_tot [max] (W)
：0.36
- V_GSth [typ] (V)
：0.77
- Automotive qualified
：N
- C_iss [typ] (pF)
：52
- C_oss [typ] (pF)
：9
- Date
：2012-05-09
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
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NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT883 |
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恩XP |
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恩XP |
23+ |
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Nexperia(安世) |
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恩XP |
24+ |
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NEXPERIA/安世 |
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SOT883B |
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NK/南科功率 |
2025+ |
DFN1006L-3 |
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国产 |
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